轨道蚀刻技术基础介绍

聚合物原料薄膜的发束

重离子由离子源产生，然后由回旋加速器加速至高达4 MeV/uma的能量。

对于光束，聚合物薄膜在真空下通过扫描离子束以恒定速度解绕;因此，轨迹密度（或所需的孔密度）由离子束强度和薄膜速度精确定义。

薄膜被拉过弯曲辊以增加轨道的角度展开，从而通过避免平行的双轨道来提高膜过滤器的选择性。

束状聚合物薄膜的化学蚀刻

在光束过程中产生的线性轨迹主要以大分子链断裂、高度亲水化学基团和自由真空为特征。

因此，轨道比周围的本体聚合物对化学物质更敏感，并且可以选择性地蚀刻，导致它们暴露在孔隙中。

化学蚀刻通常使用浓度和温度控制良好的碱性水溶液进行。 它的主要特点是轨道蚀刻速率（Vt）和体蚀刻速率（Vg). 高比率Vt/Vg 需要获得具有圆柱形孔的均匀膜过滤器。

孔径由蚀刻条件定义，而孔密度由光束参数定义。 因此，孔径和孔密度可以独立选择。

径迹蚀刻技术基础

原始聚合物薄膜的整经

重离子由离子源产生，然后通过回旋加速器加速至高达 4 MeV/uma 的能量。

对于束流，聚合物薄膜通过扫描离子束在真空下以恒定速度展开；因此，轨道密度（或所需的孔密度）由离子束强度和薄膜速度精确定义。

将薄膜拉到弯曲辊上以增加轨道的角度范围，从而通过避免平行双轨道来提高膜过滤器的选择性。

横梁聚合物薄膜的化学蚀刻

束流过程中产生的线性轨道主要以大分子断链、高亲水性化学基团和自由真空为特征。

因此，轨道比周围的本体聚合物对化学物质更敏感，并且可以被选择性地蚀刻，从而导致它们暴露在孔隙中。

化学蚀刻通常是在控制良好的浓度和温度下使用碱性水溶液进行的。其主要特征在于轨道蚀刻速率(V t )和体蚀刻速率(V g )。 需要高比率 V t / V g才能获得具有圆柱形孔的均质膜过滤器。

孔径由蚀刻条件定义，而孔密度由光束参数定义。因此可以独立地选择孔径和孔密度。